| Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级 |
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| 引用本文： | 李书平,王仁智. Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2003, 42(5): 586-590 |
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| 作者姓名： | 李书平 王仁智 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 厦门大学校级自选课题(Y07010)资助 |
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| 摘 要： | 基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。
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| 关 键 词： | Schottky势垒 电中性能级 平均键能 费米能级 半导体 接触势垒高度 第一原理赝势能带计算 |
| 文章编号： | 0438-0479(2003)05-0586-05 |
| 修稿时间： | 2003-02-17 |
Charge-neutrality Level, Average-bond-energy and Fermi Level in Schottky Barrier |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Schottky barrier charge-neutrality level average-bond-energy Fermi level |
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