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| 高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴 | |
| 引用本文： | 施卫,陈二柱,张显斌.高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴[J].西安理工大学学报,2001,17(1). |
| 作者姓名： | 施卫 陈二柱 张显斌 |
| 作者单位： | 西安理工大学理学院, |
| 摘 要： | 给出了高倍增SI-GaAs光电导开关在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果，进一步讨论了生成畴的光、电阈条件，提出了脾类似于耿畴的单极电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Lock-on效应。分析了单极电荷畴形成和国辐射发光的物理过程，并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释。
（将发表在《西安理工大学学报》2001 Vol.17 No.2） |
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