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| 膜厚对柔性ZnO∶Ga透明导电薄膜结构和电学性能的影响 | |
| 作者姓名： | 袁玉珍 吴晓丽 |
| 作者单位： | 山东理工大学理学院;山东理工大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目(ZR2009AL017) |
| 摘 要： | 室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω.cm. |
| 关 键 词： | ZnO∶Ga PI 柔性衬底 直流磁控溅射 透明导电薄膜 电学性能 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |