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分子器件电路中的混沌效应
引用本文:刘志勇,刘维清,夏英英,周艳红.分子器件电路中的混沌效应[J].江西师范大学学报(自然科学版),2009,33(2).
作者姓名:刘志勇  刘维清  夏英英  周艳红
作者单位:1. 江西师范大学,物理与通信电子学院,江西,南昌,330022;江西理工大学,理学院,江西,赣州,341000
2. 江西理工大学,理学院,江西,赣州,341000
3. 赣南医学院,信息工程学院,江西,赣州,341000
基金项目:国家自然科学基金,江西省教育厅科技计划项目 
摘    要:大多数分子器件存在负微分电阻效应,其伏安特性曲线具有明显的非线性.该文基于数值计算方法考查了Si4分子器件构成电路中的动力学行为,通过计算Si4分子器件构成电路方程的李雅谱诺夫指数,可以在合适的参数区间内观察到混沌动力学行为.

关 键 词:分子器件  负微分电阻  混沌电路  庞加莱截面  李雅谱诺夫指数

Chaos in Circuits Based on the Molecular Device
LIU Zhi-yong,LIU Wei-qing,XIA Ying-ying,ZHOU Yan-hong.Chaos in Circuits Based on the Molecular Device[J].Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition),2009,33(2).
Authors:LIU Zhi-yong  LIU Wei-qing  XIA Ying-ying  ZHOU Yan-hong
Institution:1.College of Physics Communication & Electronics;Jiangxi Normal University;Nanchang 330022;China;2.Faculty of Science;Jiangxi University of Science and Technologe;Ganzhou Jiangxi 341000;3.Department of Information Engineering;Gannan Medical University;China
Abstract:Voltage-current curve has obvious characteristics of the nonlinear because of negative differential resistance effect of most of molecular devices.The dynamics of the circuit based on the Si4 molecular device is explored nummerically.Chaos dynamics is observed in the Si4 molecular device based circuit for proper circuit parameters,which is confirmed by the positive maximium lyapunov exponent.
Keywords:
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