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〈101〉取向织构氮化铝薄膜的制备研究
引用本文:张晓光,刘晖. 〈101〉取向织构氮化铝薄膜的制备研究[J]. 天津理工大学学报, 2004, 20(4)
作者姓名:张晓光  刘晖
作者单位:天津理工大学,自动化与能源工程学院,天津,300191
摘    要:采用直流溅射法在室温条件下制备〈101〉取向织构的氮化铝(AlN)多晶薄膜,研究实验条件(溅射功率、氩气和氮气流量等)对氮化铝薄膜的成膜速率、结构、颗粒度、应力等性能的影响,得到了较佳的制备条件.本研究结果具有成膜温度低、溅射功率小、沉积速率高和薄膜高度织构等优点,对高性能氮化铝薄膜的制备及应用研究具有一定的参考价值.

关 键 词:氮化铝  织构  磁控溅射

Preparation of 〈101〉 oriented AIN films
ZHANG Xiao-guang,LIU Hui. Preparation of 〈101〉 oriented AIN films[J]. Journal of Tianjin University of Technology, 2004, 20(4)
Authors:ZHANG Xiao-guang  LIU Hui
Abstract:
Keywords:aluminum nitride  texture  magnetron-sputtering  
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