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基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响
引用本文:柳翠,李东春,于栋利,何巨龙,田永君,刘世民.基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响[J].燕山大学学报,2002,26(1):71-74,94.
作者姓名:柳翠  李东春  于栋利  何巨龙  田永君  刘世民
作者单位:燕山大学材料科学与工程学院,秦皇岛,066004
摘    要:采用离子束溅法,在单晶Si(100)基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明:随着基片温度的提高,薄膜生长致密,表面光滑;薄膜硬度逐渐提高,但温度升高到200℃后,硬度增加缓慢。同时,基片温度升高使薄膜中的N含量增加,促进C-N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时,薄膜中产生α-C3N4晶相。

关 键 词:CNx薄膜  离子束溅射  温度  性能  结构  单晶硅

Effect of Substrate Temperature on the Properties and Structures of CNx Films
Liu Cui,Li Dongchun,Yu Dongli,He Julong,Tian Yongjun,Liu Shimin.Effect of Substrate Temperature on the Properties and Structures of CNx Films[J].Journal of Yanshan University,2002,26(1):71-74,94.
Authors:Liu Cui  Li Dongchun  Yu Dongli  He Julong  Tian Yongjun  Liu Shimin
Abstract:
Keywords:CN films  ion beam sputtering  temperature  
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