首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

γ-Si3N4在高压下的光学性质研究
引用本文:丁迎春,徐明,沈益斌,陈青云,段满益.γ-Si3N4在高压下的光学性质研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2007,30(6):755-759.
作者姓名:丁迎春  徐明  沈益斌  陈青云  段满益
作者单位:四川师范大学,物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川,成都,610066
基金项目:四川省教育厅自然科学基金
摘    要:采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.

关 键 词:γ-Si3N4  光学性质  高压  第一性原理
文章编号:1001-8395(2007)06-0755-05
收稿时间:2006-12-14
修稿时间:2006年12月14

Optical Properties of γ-Si3N4 under High Pressure
DING Ying-chun,XU Ming,SHEN Yi-bing,CHEN Qing-yun,DUAN Man-yi.Optical Properties of γ-Si3N4 under High Pressure[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2007,30(6):755-759.
Authors:DING Ying-chun  XU Ming  SHEN Yi-bing  CHEN Qing-yun  DUAN Man-yi
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号