电子工业的明天——超LSI时代

超大规模集成电路(超LSI)一直在继续不断地向前发展着。其发展趋势可以从代表最尖端技术的MOS存贮器的变化情况中看出来。自从1970年开发出1KDRAM以来,到今天为止,其集成度是以每3年增加4倍的速度发展着的,仅经过15年就已增长了1,000倍。从去年末的IEDM’84到今年2月的ISSCC’85期间,日本有关各公司先后发布了兆位DRAM技术的开发状况,可以说新的超LSI时代应该是兆位时代的序幕已经拉开了。