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0.18μm CMOS工艺下全摆幅恒跨导放大器设计
引用本文:李晓潮,周志新,叶,隽,郭东辉.0.18μm CMOS工艺下全摆幅恒跨导放大器设计[J].华中科技大学学报(自然科学版),2014(4):55-59.
作者姓名:李晓潮  周志新      郭东辉
摘    要:基于标准0.18μm CMOS工艺,设计一款输入恒跨导、输出全摆幅的运算放大器.利用最小电流选择电路实现输入的恒定跨导,并采用前置Class AB的结构提高输出驱动能力,实现最大的输出摆幅;同时引入内嵌式的米勒补偿电路来保证放大器工作的稳定性.设计结果表明:在典型工艺角下,0.0~1.8V的共模输入范围内,跨导的变化仅为1.6%,输出摆幅范围为0.005~1.800V,开环增益107.9dB,相位裕度为61.2°,功耗为658.8μW.

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