| 制备条件对硅纳米孔柱阵列表面硅柱密度调制 |
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| 引用本文： | 李亚勤,孙新瑞,许海军,姜卫粉,李新建.制备条件对硅纳米孔柱阵列表面硅柱密度调制[J].科学技术与工程,2008,8(11):2806-2810. |
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| 作者姓名： | 李亚勤 孙新瑞 许海军 姜卫粉 李新建 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理系,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)是一种具有规则层次结构的硅微米/纳米结构复合体系,具有广谱光吸收和光致发光特性.针对由HF和Fe(NO3)3组成的水热腐蚀溶液体系,研究了溶液组分浓度、腐蚀温度等制备条件对Si-NPA表面硅柱密度及其光致发光性能(PL)的调制作用.结果表明,当腐蚀温度、HF(或Fe3 )浓度固定而变化Fe3 (或HF)浓度时,硅柱面密度随HF(或Fe3 )浓度的增加呈指数减小趋势,但样品的PL峰位保持不变;当溶液中Fe3 ,HF浓度固定时,硅柱面密度随腐蚀温度的升高而单调减小,同时样品的PL峰位发生蓝移、发光强度增强.
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| 关 键 词： | 硅纳米孔柱阵列 硅柱面密度 光致发光 |
Pillar Density Modulation of Silicon Nanoporous Pillar Array by Etching Conditions |
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| LI Ya-qin,SUN Xin-rui,XU Hai-jun,JIANG Wei-fen,LI Xin-jian.Pillar Density Modulation of Silicon Nanoporous Pillar Array by Etching Conditions[J].Science Technology and Engineering,2008,8(11):2806-2810. |
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| Authors: | LI Ya-qin SUN Xin-rui XU Hai-jun JIANG Wei-fen LI Xin-jian |
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