| ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究 |
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| 引用本文： | 裴志亮,孙超,关德慧,谭明晖,肖金泉,黄容芳,闻立时.ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究[J].自然科学进展,2001,11(4):392-397. |
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| 作者姓名： | 裴志亮 孙超 关德慧 谭明晖 肖金泉 黄容芳 闻立时 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所, |
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| 基金项目： | 沈阳市科技攻关资助项目和复旦大学应用表面物理国家重点实验室部分资助项目 |
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| 摘 要： | 用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al2O3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(～5×10-4Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率＞80%;在近中红外光区,其反射率＞60%.
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| 关 键 词： | ZnO:Al薄膜掺杂光学性能散射机制 |
| 修稿时间： | 2000年7月10日 |
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