混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究 |
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引用本文: | 段子刚,姚芳.混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究[J].华中理工大学学报,1999,27(8):90-92. |
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作者姓名: | 段子刚 姚芳 |
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摘 要: | 研究了直接耦合混合应变量子阱SOA的噪声特性,实验测定了SOA在130mA偏塌流下的噪声指数为7.7dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步的改善。
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关 键 词: | 半导体光放大器 应变量子阱 噪声指数 |
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