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混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究
引用本文:段子刚,姚芳.混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究[J].华中理工大学学报,1999,27(8):90-92.
作者姓名:段子刚  姚芳
摘    要:研究了直接耦合混合应变量子阱SOA的噪声特性,实验测定了SOA在130mA偏塌流下的噪声指数为7.7dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步的改善。

关 键 词:半导体光放大器  应变量子阱  噪声指数
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