| 小尺寸应变SOI SiGe异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 苗乃丹,王冠宇,文剑豪,于明道,周春宇,王巍. 小尺寸应变SOI SiGe异质结双极晶体管[J]. 重庆邮电大学学报(自然科学版), 2021, 33(6): 955-961. DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.202001080013 |
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| 作者姓名： | 苗乃丹 王冠宇 文剑豪 于明道 周春宇 王巍 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆400065;燕山大学 理学院,河北 秦皇岛066004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（61704147） |
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| 摘 要： | 为了满足通信系统中对核心器件工作频率更高的要求,设计了一种新型的器件结构,有效提高了SiGe异质结双极型晶体管(hetero-junction bipolar transistor,HBT)的频率特性.基于传统的SOI SiGe HBT器件结构,通过减小发射区和集电区的窗口尺寸,并在集电区引入单轴应力,集电区、基区、发射区均实现应变,提高了纵向载流子的迁移率,从而提高器件的电学特性和频率特性,并利用SILVACO?TCAD软件对其电学参数和频率参数进行仿真分析.结果表明,当基区Ge组分为梯形分布时,电流增益最大值βmax为1062,厄尔利电压VA为186 V,厄尔利电压与电流增益的优值为1.975×105 V,截止频率fT最大值为419 GHz.集电区引入Si1-y Gey应力源的新型SOI SiGe HBT器件相比于集电区未引入应力源的器件结构,其截止频率fT提高了1.1倍,所设计的新型小尺寸器件具有更优良的频率特性.
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| 关 键 词： | 单轴应变 SOI SiGe HBT 小尺寸 电学特性 频率特性 |
| 收稿时间： | 2020-01-08 |
| 修稿时间： | 2021-10-18 |
Novel small-sized SOI SiGe heterojunction bipolar transistor |
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| MIAO Naidan,WANG Guanyu,WEN Jianhao,YU Mingdao,ZHOU Chunyu,WANG Wei. Novel small-sized SOI SiGe heterojunction bipolar transistor[J]. Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications, 2021, 33(6): 955-961. DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.202001080013 |
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| Authors: | MIAO Naidan WANG Guanyu WEN Jianhao YU Mingdao ZHOU Chunyu WANG Wei |
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| Affiliation: | School of Optoelectronic Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P. R. China;School of Science, Yanshan University, Qinhuangdao 066004, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | uniaxial strain SOI SiGe HBT small-sized electrical characteristics frequency characteristics |
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