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| Fe2O3掩膜的制备研究 | |
| 作者姓名： | 刘瑞兰 杜长英 |
| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所，山东师范大学化工厂 济南 250014，济南 250014 |
| 摘 要： | 在制造半导体器件和集成电路时,为确定衬底材料上的图形,必须使用掩膜版。现有的掩膜材料主要有乳胶膜和铬膜。乳胶膜耐磨性差、易沾污且分辨率低;铬膜虽有较好的耐磨性,但铬作为一种金属反光很强,导致图形分辨率降低。另一方面,这两种膜都不透明,光刻时图形难以套准。Fe_2O_3膜是一种优良的掩膜材料,它具有很强的耐磨性和很高的分辨率,针孔少、透明、光刻时图形易对准。因此在70年代国内外就对Fe_2O_3膜进行了研 |
| 关 键 词： | 掩膜 氧化铁 制备 |
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