| 含氧空位立方HfO2电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 闫 锋,刘正堂,刘其军. 含氧空位立方HfO2电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 科学技术与工程, 2017, 17(16) |
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| 作者姓名： | 闫 锋 刘正堂 刘其军 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,西南交通大学（成都市金牛区二环路北一段111号物理学院15号信箱） |
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| 摘 要： | 利用基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势法,研究了含氧空位立方HfO2的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明,氧空位缺陷对晶格参数的影响不明显。能带结构和态密度结果表明在-0.216 eV处出现了氧空位缺陷能级。通过对比纯立方HfO2的光学吸收边,由于氧空位缺陷能级的出现,含氧空位立方HfO2的光学吸收边向低能方向移动。此外,氧空位的出现导致了静态介电常数的增加。
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| 关 键 词： | 电子结构 氧空位 光学性质 密度泛函理论 |
| 收稿时间： | 2016-10-27 |
| 修稿时间： | 2017-02-07 |
First-principles study of electronic and optical properties of cubic HfO2 with oxygen vacancy |
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| Yan Feng,and. First-principles study of electronic and optical properties of cubic HfO2 with oxygen vacancy[J]. Science Technology and Engineering, 2017, 17(16) |
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| Authors: | Yan Feng and |
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| Affiliation: | China Electronics Technology Group Corporation,, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electronic structure oxygen vacancy optical properties density functional theory |
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