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阶梯量子阱中极化子效应的增强
引用本文:刘自信,楚兴丽,刘平.阶梯量子阱中极化子效应的增强[J].河南师范大学学报(自然科学版),2002,30(3):126-126.
作者姓名:刘自信  楚兴丽  刘平
作者单位:河南师范大学物理与信息工程学院,河南,新乡,453002
基金项目:河南省自然科学基金项目 (编号 :994 0 5 190 0 )
摘    要:电离杂质在低温半导体的输运过程中起了一个重要的角色 .因此最近几年对极性半导体 (例如异质结、量子点、量子线和量子阱 )内的极化子效应讨论很多 .一些通常的量子阱往往由极性化合物组成 ,我们需要对其中的电子和光学声子之间的相互作用进行详细研究 ,因为极化子效应能强烈影响异质结构的光学和输运特征 .因而在这样的结构中 ,电子态是通过势阱来描述的 .在低维量子系统 ,由于电子的束缚产生的基态杂质束缚能比体材料相比要大得多 .这个如 Greene和 Bajij1] 所说的那样 ,量子阱中浅施主杂质的详细研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性…

关 键 词:阶梯量子阱  极化子效应  极性半导体  施主杂质  电子-声子耦合响应  增强效应
文章编号:1000-2367(2002)03-0126-01
修稿时间:2002年5月20日
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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