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自蔓延法制备Si3N4粉时的氮气压力
引用本文:徐协文,刘其城,郑子樵.自蔓延法制备Si3N4粉时的氮气压力[J].中南大学学报(自然科学版),2003,34(1):58-62.
作者姓名:徐协文  刘其城  郑子樵
作者单位:1. 中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;长沙电力学院化学系,湖南,长沙,410077
2. 中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083
基金项目:湖南省自然科学基金资助项目(02JJY2069)
摘    要:探讨了硅粉在普通氮气和高纯氮气中的高温自蔓延合成反应过程,分析了稀释剂、氮气纯度与压力、成型坯体的气孔率等工艺参数对硅粉自蔓延过程的点火、最高燃烧温度及产物特征的影响.从热力学、动力学及Si3N4热分解过程几个方面分析了低氮气压力下燃烧合成Si3N4的可行性.研究结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;并在氮气压力为0.6~2.6 MPa时.以纯硅粉为起始原料燃烧合成出游离硅含量小于O.5%,β与α相混合,粒度为1~2 μm的Si3N4粉末;低氮气压力下硅粉的自蔓延合成反应,必须要引入Si3N4稀释荆,压坯气孔率控制在0~70%,否则反应不能进行;体系最高燃烧温度随着氮气压力和压坯气孔率的增加而升高;所需的最低氮气压力随硅粉粒度增大而提高;产物形态沿圆柱样径向有差异,由外到里β—Si3N4相明显增加.

关 键 词:自蔓延高温合成  氮气  氮化硅粉  热分解  合成
文章编号:1005-9792(2003)01-0058-05
修稿时间:2002年11月20

Discussion of nitrogen pressure in the process of self-propagating high-temperature synthesis of Si3N4
XU Xie-wen,LIU Qi-cheng,ZHENG Zi-qiao.Discussion of nitrogen pressure in the process of self-propagating high-temperature synthesis of Si3N4[J].Journal of Central South University:Science and Technology,2003,34(1):58-62.
Authors:XU Xie-wen  LIU Qi-cheng  ZHENG Zi-qiao
Abstract:
Keywords:self-propagating high-temperature synthesis  nitrogen  silicon nitride powder  thermal decomposition  synthesis
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