|
|||||
|
|
| 银基体对Bi2223厚膜生长的影响 | |
| 引用本文： | 王智河.银基体对Bi2223厚膜生长的影响[J].科学通报,1995,40(12):1073-1073. |
| 作者姓名： | 王智河 |
| 作者单位： | 中国科学院等离子体物理研究所 合肥230031 |
| 摘 要： | 为了提高超导材料的临界电流密度,实现高T_c超导材料的强电应用,人们通过改变样品制备工艺已获得了具有高度C-轴取向的织构样品.对Bi系来说,使用银包套的方法取得了良好的效果,Li等人制出了77K,零场下J_c高达6.9×10~4A/cm~2的样品,在提高临界电流密度过程中,人们着重于研究中间冷压、热压以及烧结工艺过程等,期望获得更好的织构度、更高的致密度、微裂纹少、孔隙率低的样品.虽然银层对超导微结构和载流性能的影响引起人们的注意,但研究银基材对Bi2223厚膜生长过程影响的文章报道很少.本文通过对Bi2223银夹板厚膜制备过程中厚膜微结构的分析,研究了银基材对Bi2223厚膜生长的影响. |
| 关 键 词： | 银基体 界面 超导体 膜 生长 铋系 |
| 收稿时间： | 1994-11-01 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 | |