| EVVA源离子束合成镧硅化物 |
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| 引用本文： | 肖志松,徐飞,程国安,易仲珍,张通和.EVVA源离子束合成镧硅化物[J].北京师范大学学报(自然科学版),2000(2). |
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| 作者姓名： | 肖志松 徐飞 程国安 易仲珍 张通和 |
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| 作者单位： | 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室!北京师范大学低能核物理研究所，北京市辐射中心，100875，北京26岁，男，博士生，北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室!北京师范大学低能核物理研究所，北京市辐射中心，100875，北京，南昌大学材料科学与工程系，330047 |
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| 摘 要： | 用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 .
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| 关 键 词： | 离子注入 硅化物 物相 表面形貌 |
FORMATION OF La SILICIDES BY MEVVA ION IMPLANTATION |
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| Xiao Zhisong Xu Fei , Cheng Guoan Yi Zhongzhen Zhang Tonghe.FORMATION OF La SILICIDES BY MEVVA ION IMPLANTATION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2000(2). |
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| Authors: | Xiao Zhisong Xu Fei Cheng Guoan Yi Zhongzhen Zhang Tonghe |
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| Abstract: | La ions are implanted into single silicon to form a doped layer. Ion implantation is carried out on MEVVA ion source. The phases of the doped layers are determined by XRD, SEM is used to analyze the micrograph of the implanted layers. The result indicates that there are La silicides formed in the implanted layers. The phase of La silicides varies upon ion fluence,flux and post annealing conditions. A mechanism of silicide formation is discussed. |
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| Keywords: | ion implantation silicides phase surface topography |
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