| Cr-Si-Al薄膜微观结构及电阻率分析 |
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| 引用本文： | 林泽伟,董显平,吴建生. Cr-Si-Al薄膜微观结构及电阻率分析[J]. 上海交通大学学报, 2003, 37(12): 1969-1973 |
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| 作者姓名： | 林泽伟 董显平 吴建生 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,材料科学与工程学院,教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50131030) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法制备Cr-Si-Al电阻薄膜，以X射线衍射仪和透射电镜研究薄膜在不同温度退火处理后微观结构的变化，并利用四探针法测量薄膜的电阻值．结果表明：薄膜在低于250℃热处理时均为非晶态；退火温度大于300℃时．薄膜中开始析出尺寸约l0～l5nm的Cr(Si，Al)2晶粒．其后，在退火温度为350～450℃时．析出的晶粒大小没有明显变化．当退火温度为600℃时，析出的晶粒大小及数量急剧增大，平均尺寸接近15nm．随着退火温度的上升，薄膜电阻率先上升、后下降；薄膜电性能变化与微观结构的关系可以用活化隧道理论解释．
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| 关 键 词： | 电阻薄膜 晶化 微观结构 电性能 |
| 文章编号： | 1006-2467(2003)12-1969-05 |
| 修稿时间： | 2002-11-20 |
Microstructure and Resistivity Analysis of Cr-Si-Al Thin Films |
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| LIN Ze-wei,DONG Xian-ping,WU Jian-sheng. Microstructure and Resistivity Analysis of Cr-Si-Al Thin Films[J]. Journal of Shanghai Jiaotong University, 2003, 37(12): 1969-1973 |
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| Authors: | LIN Ze-wei DONG Xian-ping WU Jian-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistive thin films crystallization microstructure electrical property |
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