| 静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟 |
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| 引用本文： | 杨军,蒋孟衡,杨定宇,涂小强.静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟[J].西南民族学院学报(自然科学版),2006,32(5):1025-1029. |
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| 作者姓名： | 杨军 蒋孟衡 杨定宇 涂小强 |
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| 作者单位： | 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225 |
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| 摘 要： | 运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.
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| 关 键 词： | 静电感应晶闸管 负阻转折 数值模拟 |
| 文章编号： | 1003-2843(2006)05-1025-05 |
| 修稿时间： | 2006年4月29日 |
Numerical simulation on SITH's negative-resistance transition |
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| YANG Jun,JIANG Meng-heng,YANG Ding-yu,TU Xiao-qiang.Numerical simulation on SITH''''s negative-resistance transition[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),2006,32(5):1025-1029. |
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| Authors: | YANG Jun JIANG Meng-heng YANG Ding-yu TU Xiao-qiang |
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| Abstract: | According to the Drift-Diffusion model in the semiconductor simulation,the simulation and analysis are preserved for negative resistance of sith.By simulating the voltage and carrier distribution inside the device,the simulation result demonstrates that the enhanced both-injection of carrier and the shrink away of depletion region brings the negative resistance to the device.The result fits together with the experimental data and it's significant for the design and optimization of device. |
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| Keywords: | SITH negative-resistance transition numerical simulation |
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