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溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究
引用本文:潘洪涛,周炳卿,陈霞,李力猛.溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2008,37(5).
作者姓名:潘洪涛  周炳卿  陈霞  李力猛
作者单位:内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古呼和浩特010022
基金项目:国家自然科学基金 , 内蒙古师范大学研究生基金  
摘    要:以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为主要原料,采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.

关 键 词:掺锡氧化铟薄膜  溶胶-凝胶法  光电性能  方块电阻

Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films Prepared by the Sol-Gel Method
PAN Hong-tao,ZHOU Bing-qing,CHEN Xia,LI Li-meng.Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films Prepared by the Sol-Gel Method[J].Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition),2008,37(5).
Authors:PAN Hong-tao  ZHOU Bing-qing  CHEN Xia  LI Li-meng
Abstract:
Keywords:
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