| 磁致电阻效应的最新研究进展及其在信息存储领域的应用 |
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| 引用本文： | 金伟.磁致电阻效应的最新研究进展及其在信息存储领域的应用[J].安庆师范学院学报(自然科学版),2009,15(1):66-68. |
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| 作者姓名： | 金伟 |
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| 作者单位： | 安徽师范大学,物理与电子信息学院,安徽,芜湖,241000 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金，安徽师范大学校级青年基金 |
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| 摘 要： | 介绍了磁致电阻效应在信息存储领域的研究现状和发展趋势,总结了巨磁电阻效应、隧道巨磁电阻效应以及自旋传输矩效应的理论模型,分析了这些磁致电阻效应的物理机制。
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| 关 键 词： | 巨磁电阻 磁性自旋阀 磁性隧道结 自旋传输矩 信息存储 |
New Progress of Magnetoresistance Effect and Applications in the Information Storages |
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| JIN Wei.New Progress of Magnetoresistance Effect and Applications in the Information Storages[J].Journal of Anqing Teachers College(Natural Science Edition),2009,15(1):66-68. |
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| Authors: | JIN Wei |
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| Institution: | JIN Wei (College of Physics and Electrical Information, Anhui Normal University, Wuhu241000, China) |
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| Abstract: | We demonstrate the further development of the magnetoresistance effect in the information storages.Then we summarize the theoretical model of GMR,TMR and Spin-transfer torque effect and analyze briefly the physical mechanism of these magnetoresistance effect. |
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| Keywords: | Giant magnetoresistance magnetic spin-valve magnetic tunnel junction spin-transfer torque information storages |
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