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| Ti,Mn,Fe掺杂的GaN纳米管的电子结构及磁学性质 | |
| 引用本文： | 张敏,史俊杰.Ti,Mn,Fe掺杂的GaN纳米管的电子结构及磁学性质[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2015(2):156-161. |
| 作者姓名： | 张敏 史俊杰 |
| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院;北京大学物理学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11364030,11474012) |
| 摘 要： | 采用基于自旋极化密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了3d过渡金属(TM=Ti,Mn,Fe)掺杂的zigzag型单壁GaN纳米管的电子结构及磁学性质.结果表明,Ti,Mn掺杂的GaN纳米管呈现反铁磁性,而Fe掺杂的单壁GaN纳米管则表现出铁磁性.同时从态密度的分析可以看出,过渡金属的3d电子与跟它最近邻的N原子的2p电子具有强烈的杂化作用,这是体系具有磁性的原因. |
| 关 键 词： | 过渡金属掺杂 GaN纳米管 电子结构 磁学性质 第一性原理计算 |
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