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| 次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究 | |
| 引用本文： | 胡胜水,张新萍.次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究[J].武汉大学学报(自然科学版),1998,44(6):682-684. |
| 作者姓名： | 胡胜水 张新萍 |
| 作者单位： | [1]武汉大学化学学院 [2]华中农业大学基础部 |
| 摘 要： | 研究了次黄嘌呤在铜电极上的电化学行为。实验发现，以１．９６×１０＾－３￣４×１０＾－４ｍｏｌ·Ｌ＾－１ＮａＯＨ作支持电解质时，在－０．２５￣－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰，它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＾＋络合物的溶出伏安峰，在选择的实验条件下，峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０＾－６￣２×１０＾－３ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内呈良好的线性关系，最低检测限为５．６×１０＾－８ｍｏｌ·Ｌ＾－ |
| 关 键 词： | 次黄嘌呤 溶出伏安法 伏安特性 铜电极 |
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