| 通过边界行标记的低刷新功耗内存 |
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| 引用本文： | 韦祎,杨任花,林殷茵.通过边界行标记的低刷新功耗内存[J].复旦学报(自然科学版),2016(3):347-353. |
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| 作者姓名： | 韦祎 杨任花 林殷茵 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 摘 要： | 提出一种通过数个边界行地址寄存器,将DRAM内存按照行地址划分为正常刷新区域、低频刷新区域和无需刷新区域的方案.当数据被集中于DRAM中连续行时,该方案不刷新未存放数据的DRAM行,并且对非关键数据区域采取比正常更低的频率进行刷新,从而可以将刷新功耗按比例降低至内存占用率以下.最后用gem5+DRAMSim2仿真平台对这种方案的硬件部分进行建模并仿真,实验显示如果搭配合适的数据分配算法,该做法能够在很低的硬件开销下有效降低内存功耗.
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| 关 键 词： | DRAM刷新功耗 内存仿真 DRAMSim2 |
Lowering Main Memory Refresh Energy by Using Boundary Row Address Registers |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DRAM refresh energy main memory system simulation DRAMSim2 |
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