| 氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究 |
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| 引用本文： | 刘佩,林殷茵.氧化钽基RRAM的循环耐受特性优化研究[J].复旦学报(自然科学版),2016(1):28-35. |
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| 作者姓名： | 刘佩 林殷茵 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(2014AA032602) |
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| 摘 要： | 阻变存储器(RRAM)因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺兼容而被各大研究机构广泛关注,但TaOx基RRAM存储阵列的可靠性仍存在很大问题,尤其是循环耐受特性.本文制备了4种具有优秀阻变性能的双层Ta2O5/TaOxRRAM器件,Ta2O5层厚度分别为5nm和3nm,TaOx层的x值分别为1.0和0.7.比较了这4种拥有不同器件参数的氧化钽基RRAM器件的循环耐受性能,给出了TaOx基RRAM的循环耐受性能优化方法,发现双层TaOxRRAM的富氧Ta2O5层的厚度越薄且缺氧TaOx层的缺氧程度越大,其循环耐受性能越好.
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| 关 键 词： | 氧化钽 Ta2O5/TaOx 循环耐受特性 阻变存储器 |
Endurance Performance Optimization Research of TaOx-Based RRAM |
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| Keywords: | TaOx Ta2O5/TaOx endurance improvement RRAM |
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