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聚酰亚胺缓冲层改善氧化铟锡导电阳极在聚乙烯基对苯二酸酯柔性基片上附着力的研究
作者姓名:王立铎  李扬  常春  段炼  邱勇
作者单位:清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084;清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084;清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084;清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084;清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,北京,100084
基金项目:本工作为国家自然科学基金资助项目(批准号: 90101029).
摘    要:在柔性有机电致发光器件中通常使用的柔性聚乙烯基对苯二酸酯(PET)基片上, 制备了一层聚酰亚胺(PI)缓冲层以改善氧化铟锡(ITO)阳极在基片上的附着力. 经过划痕法的测试, 柔性导电基片的临界载荷值大大提高, 基片抗弯折的能力也有很大的改善. 与使用普通PET基片制备的有机电致发光器件相比, 使用复合基片制备的器件的电流密度和发光亮度均提高了4倍左右.

关 键 词:有机电致发光  柔性基片  划痕法  PET
收稿时间:2004-07-07
修稿时间:2004-09-24
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