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| 低温GaAlAs/GaAs二次液相外延 | |
| 引用本文： | 曹殿生,赵军,刘式墉.低温GaAlAs/GaAs二次液相外延[J].吉林大学学报(理学版),1986(4). |
| 作者姓名： | 曹殿生 赵军 刘式墉 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系半导体光电子学与集成光学研究室 (曹殿生，赵军)，吉林大学电子科学系半导体光电子学与集成光学研究室(刘式墉) |
| 摘 要： | 本文报导了具有内电流限制掩埋新月型GaAlAs/GaAs半导体激光器的液相外延过程。解决了在暴露于空气中的Ga_(1-y)Al_yAs(111)面上的生长问题,观察到了Ga_(1-y)A1_yAs对熔体生长具有抗回熔作用。根据扩散理论,建立了在非平面衬底上液相外延生长速率模型,给出了生长厚度与生长时间的关系,其实验结果和理论值相比较,两者符合得较好。 |
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