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| 低温湿氮退火对SiO_2-Si界面的影响 | |
| 引用本文： | 王济身,许春芳,陈琳,范焕章.低温湿氮退火对SiO_2-Si界面的影响[J].上海师范大学学报(自然科学版),1980(4). |
| 作者姓名： | 王济身 许春芳 陈琳 范焕章 |
| 摘 要： | 用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减少了表面电荷和界面态密度。还比较了铝淀积前退火、铝腐蚀前退火和铝腐蚀后退火的效果,证明铝腐蚀前退火给出最小的表面电荷和界面态密度。对结果和退火机理进行了讨论。 |
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