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分类号
杂志ISSN号
MOSFET低温热载流子效应
作者姓名:
刘卫东 魏同立
作者单位:
东南大学微电子中心
摘 要:
与常温下相比,低温工作MOS器件具有许多优点,但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强,本文简要研究了这种效应,包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响,最后,从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。
关 键 词:
低温 热载流子 MOS 场效应晶体管
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