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| 纯PZT陶瓷的低温介电性质与压电性质 | |
| 引用本文： | 张绪礼 ,陈志雄 ,L.E.克罗斯 ,W.A.休斯.纯PZT陶瓷的低温介电性质与压电性质[J].华中科技大学学报(自然科学版),1983(1). |
| 作者姓名： | 张绪礼 陈志雄 L.E.克罗斯 W.A.休斯 |
| 摘 要： | 在4.2至300K的低温范围内对组分邻近于准同型相界的纯钛锆酸铅压电陶瓷(PZT)的介电性质和压电性质进行了实验研究.结果表明,组分紧靠准同型相界的PZT具有最大的介电和压电活性.结果还表明,至少有两个弛豫过程对纯PZT的介电性质和压电性质有所影响.文中指出了导致这些弛豫过程的可能机制,讨论了50/50组分在其ε_(33)~T-T曲线上于150K附近出现的拐变现象. |
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