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| TiCl4—NH3—H2体系低温化学气相沉积TiN的机理和条件 | |
| 引用本文： | 马肇曾,张荣明.TiCl4—NH3—H2体系低温化学气相沉积TiN的机理和条件[J].北京科技大学学报,1992,14(3):379-382. |
| 作者姓名： | 马肇曾 张荣明 |
| 作者单位： | 北京科技大学化学系 (马肇曾)，北京科技大学化学系(张荣明) |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 涂层 低温 氮化钛 CVD |
Low Temperature Chemical Vapour Deposition of TiN in TiCl4-NH3-H3 System |
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| Ma Zhaozeng Zhang Rongming.Low Temperature Chemical Vapour Deposition of TiN in TiCl4-NH3-H3 System[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,1992,14(3):379-382. | |
| Authors: | Ma Zhaozeng Zhang Rongming |
| Institution: | Ma Zhaozeng Zhang Rongming Department of Chemistry |
| Abstract: | |
| Keywords: | chemical vapor deposition at low temperature titanium nitride the ammonolvsis compounds of titanium tetrachloride |
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