| TiCl4—NH3—H2体系低温化学气相沉积TiN的机理和条件 |
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| 引用本文： | 马肇曾 张荣明. TiCl4—NH3—H2体系低温化学气相沉积TiN的机理和条件[J]. 北京科技大学学报, 1992, 14(3): 379-382 |
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| 作者姓名： | 马肇曾 张荣明 |
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| 作者单位： | 北京科技大学化学系(马肇曾)，北京科技大学化学系(张荣明) |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 涂层 低温 氮化钛 CVD |
Low Temperature Chemical Vapour Deposition of TiN in TiCl4-NH3-H3 System |
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| Ma Zhaozeng Zhang Rongming. Low Temperature Chemical Vapour Deposition of TiN in TiCl4-NH3-H3 System[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 1992, 14(3): 379-382 |
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| Authors: | Ma Zhaozeng Zhang Rongming |
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| Affiliation: | Ma Zhaozeng Zhang Rongming Department of Chemistry |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical vapor deposition at low temperature titanium nitride the ammonolvsis compounds of titanium tetrachloride |
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