关于霍尔效应中的副效应及其消除方法的研究 |
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引用本文: | 刘昶丁
,柳纪虎.关于霍尔效应中的副效应及其消除方法的研究[J].宁夏大学学报(自然科学版),1987(1). |
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作者姓名: | 刘昶丁 柳纪虎 |
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摘 要: | 近年来霍尔效应在研究半导体材料方面有着广泛的应用。霍尔元件的主要用途:1、测量磁场;2、测最交、直流电路中的电流强度和功率;3、转换信号,能把直流电流转换成交流电流,并对它进行调制,放大直流或交流信号等;4、对各种物理城进行四则,乘方、开方运算。在确定纯度、材料的补偿度,外延异质结材料的电学性质,高阻材料导电类型的判断及新材料的研究等方法中,都有它独特的作用。
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