| 多孔硅整流特性研究 |
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| 引用本文： | 彭爱华. 多孔硅整流特性研究[J]. 科学技术与工程, 2009, 9(21) |
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| 作者姓名： | 彭爱华 |
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| 作者单位： | 中国石油大学,华东,物理科学与技术学院,青岛,266555 |
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| 摘 要： | 从多孔硅的最基本的器件结构--金属/多孔硅/硅入手,研究这种结构的电学性质:整流特性,对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其它一些电学方面的应用有着积极的意义.用电化学腐蚀法制得多孔硅,对多孔硅电化学氧化和氮气气氛下退火,研究这两种后处理方式对多孔硅整流特性的影响.多孔硅经高浓度硫酸电化学氧化后,整流特性消失;多孔硅经氮气气氛下退火后,整流特性增强;分析了相应的机理.
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| 关 键 词： | 多孔硅 整流特性 退火 |
| 收稿时间： | 2009-07-17 |
| 修稿时间： | 2009-08-03 |
Study on Rectification Character of Porous Silicon |
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| peng ai hua. Study on Rectification Character of Porous Silicon[J]. Science Technology and Engineering, 2009, 9(21) |
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| Authors: | peng ai hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon rectification annealing |
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