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| Mo掺杂BN磁性第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 韩雨红,王青.Mo掺杂BN磁性第一性原理计算[J].甘肃科学学报,2013(3):51-54. |
| 作者姓名： | 韩雨红 王青 |
| 作者单位： | 兰州理工大学理学院 |
| 摘 要： | 利用LDA+U进行优化,在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Mo掺杂的闪锌矿稀磁半导体B1-x Mox N(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明,掺入磁性过渡金属Mo后的BN明显呈现出半金属特征,Mo原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Mo原子的局域磁矩约3.0μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-x Mox N(x=0.0625,0.125)体系多种替位构形中,N220型的Mo-Mo铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值. |
| 关 键 词： | 第一性原理 稀磁半导体 磁性质 电子结构 |
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