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| 几种元素掺杂二维MgCl2单层的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 门彩瑞 邵立 何渊淘 李艳 耶红刚 |
| 作者单位： | 1. 郑州航空工业管理学院材料学院;2. 郑州航空工业管理学院智能工程学院;3. 西安交通大学物理学院 |
| 基金项目： | 河南省高等学校重点科研项目计划基础研究专项基金(批准号：23ZX018)；;河南省高等学校重点科研项目(批准号：22A140030)；;河南省科技攻关项目(批准号：232102230012)； |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对H,F,Al, K,Zn掺杂二维MgCl2单层材料的几何结构和电子性质进行研究.结果表明：几种掺杂体系的晶体结构均有不同程度变化；由于H,Al, Zn的s态电子影响，这3种元素掺杂的MgCl2在禁带中明显出现杂质能级，F和K掺杂体系的杂质能级出现在价带顶，与本征MgCl2材料的5.996 eV带隙相比，H,F,Al, K,Zn掺杂体系的禁带宽度分别减小至5.665,5.903,4.409,5.802,5.199 eV; 5种掺杂体系杂质原子周围的电荷均重新分布；电荷转移情况与差分电荷密度结果一致；与本征MgCl2的功函数8.250 eV相比，H,F,Al, K,Zn掺杂体系的功函数分别减小至7.629,7.990,3.597,7.685,7.784 eV. |
| 关 键 词： | 密度泛函理论 禁带 掺杂 功函数 |