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GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%~3.1%)发光复合机制的研究
引用本文:吕毅军,高玉琳,林顺勇,郑健生,张勇,Mascarenhas A,辛火平,杜武青.GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%~3.1%)发光复合机制的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2004(4).
作者姓名:吕毅军  高玉琳  林顺勇  郑健生  张勇  Mascarenhas A  辛火平  杜武青
作者单位:厦门大学物理学系 福建厦门361005 (吕毅军,高玉琳,林顺勇,郑健生),美国可再生能源实验室 美国 (张勇,Mascarenhas A),美国加州弗吉尼亚大学电机工程系 美国 (辛火平),美国加州弗吉尼亚大学电机工程系 美国(杜武青)
基金项目:国家自然科学基金(60276002),福建省自然科学基金(A0110007)资助
摘    要:利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制.

关 键 词:发光  IIIV半导体  带隙弯曲
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