| DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较 |
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| 引用本文： | 林羲,董业民,何平,陈猛,王曦,田立林,李志坚.DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较[J].清华大学学报(自然科学版),2003,43(7):1005-1008. |
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| 作者姓名： | 林羲 董业民 何平 陈猛 王曦 田立林 李志坚 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
2. 中科院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59995550-1);国家重点基础研究专项经费(G2000036501) |
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| 摘 要： | 严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.
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| 关 键 词： | 场效应器件 绝缘体上硅(SOI) 局域注氧 浮体效应 自热效应 |
| 文章编号： | 1000-0054(2003)07-1005-04 |
| 修稿时间： | 2002年10月25 |
Comparison of the characteristics of DSOI, SOI and bulk-Si MOSFETs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) silicon on insula tor (SOI) local separation by implantation of oxygen (SIMOX) floating body eff ect self-heating effect |
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