| c-轴取向对Bi系钴氧化物射频介电常数的影响 |
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| 引用本文： | 倪江利,冯双久,张显良.c-轴取向对Bi系钴氧化物射频介电常数的影响[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2011,34(3). |
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| 作者姓名： | 倪江利 冯双久 张显良 |
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| 作者单位： | 安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 安徽省信息材料与器件重点实验室(安徽大学)开放基金资助项目 |
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| 摘 要： | 文章采用固相反应法制备了具有c-轴取向的层状Bi系钴氧化物多晶样品,并测试了样品射频介电常数.实验结果表明,相对于没有明显取向的样品,c-轴取向样品的相对介电常数从150以上减少到80左右,同时损耗角正切也不到前者的1/2.这是由于没有取向的样品中空间电荷极化对介电常数有很大贡献,而c-轴取向的样品中基本没有空间电荷极化的贡献.
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| 关 键 词： | 介电性质 Bi系钴氧化物 c-轴取向 空间电荷极化 |
Influence of c-axis orientation on dielectric constants of Bi-based Co-oxide in radio frequency |
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| NI Jiang-li,FENG Shuang-jiu,ZHANG Xian-liang.Influence of c-axis orientation on dielectric constants of Bi-based Co-oxide in radio frequency[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2011,34(3). |
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| Authors: | NI Jiang-li FENG Shuang-jiu ZHANG Xian-liang |
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