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| a-Si（n）/c-Si（p）异质结电池非晶层的模拟优化 | |
| 引用本文： | 吴国盛,王振文,闻腾,刘淑平.a-Si（n）/c-Si（p）异质结电池非晶层的模拟优化[J].太原科技,2012(10):87-90. |
| 作者姓名： | 吴国盛 王振文 闻腾 刘淑平 |
| 作者单位： | 太原科技大学,山西太原030024 |
| 基金项目： | 太原科技大学研究生科技创新项目（20111027） |
| 摘 要： | 采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si（n）/a-Si（i）/c-Si（p）电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺杂浓度、界面态和本征非晶层。提出了如下结论：发射层厚度主要影响短波光子吸收;随着厚度的增加,电池性能均下降;发射层重掺杂是获得好的转化效率的一个条件;界面态较低时对电池性能影响不大,当达到1014cm-2·eV-1时,电池性能很差;高质量的本征非晶层可以有效钝化硅片,降低界面态密度,提高电池性能,但应控制一定厚度内。 |
| 关 键 词： | afors-het 异质结电池 发射层 界面态 本征层 |
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