| 半导体光电子材料中的缺陷 |
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| 引用本文： | 康俊勇,黄启圣. 半导体光电子材料中的缺陷[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2001, 40(2): 267-276 |
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| 作者姓名： | 康俊勇 黄启圣 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系, |
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| 基金项目： | "863计划"(715-010-0022),国家自然科学基金(69976023)和福建省自然科学基金重点(A0020001)资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍近年来在Ⅲ族氮化物和Ⅲ-Ⅴ化合物缺陷等方面的一些研究进展。并着重展示对Ⅲ族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物,以及Ⅲ-Ⅴ化合物Fe杂质和DX中心能级精细结构等研究的结果。
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| 关 键 词： | 缺陷 Ⅲ氮化物 Ⅲ－Ⅴ化合物 半导体电子材料 黄色发光带 纳米管 穿透位错 |
| 文章编号： | 0438-0479(2001)02-0267-10 |
| 修稿时间： | 2001-02-15 |
Defects in Optoelectronic Materials |
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| KANG Jun-yong,HUANG Qi-sheng. Defects in Optoelectronic Materials[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 2001, 40(2): 267-276 |
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| Authors: | KANG Jun-yong HUANG Qi-sheng |
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| Abstract: | The progress has been made recently in the investigations of defects in Ⅲ nitrides and Ⅲ -V compounds. The works are concentrated on yellow luminescence band, nanopipes, thread ing dislocations, cracks and precipitates in Ⅲ nitrides, and on fine structures of Fe energy levels and DX centers in Ⅲ -V compounds. |
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