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| 宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展 | |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 长期以来，过渡元素（Fe，Mn，Co等）掺杂稀磁宽带隙半导体的磁性来源问题一直存在着很大争议．主流观点认为，由于样品制备条件的差异，大多数过渡元素掺杂宽带隙半导体的磁性来源于磁性杂质的干扰或磁性原子在基体形成团簇所致，而不是掺杂材料的本征特性．因此，通过掺杂非磁性元素可以有效地避免磁性杂质的引入，排除磁性杂质的干扰，可以为探讨稀磁半导体的磁性来源提供理想的实验体系．这对深入认识宽带隙半导体中自旋长程有序的机制有着重要学术意义． |
| 关 键 词： | 宽带隙半导体 元素掺杂 非磁性 SiC 磁性杂质 过渡元素 稀磁半导体 制备条件 |
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