在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究 |
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引用本文: | 谭红,何锦林,汪大成,陈佳新. 在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究[J]. 贵州科学, 2003, 0(Z1) |
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作者姓名: | 谭红 何锦林 汪大成 陈佳新 |
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作者单位: | 贵州省理化测试中心,贵州省理化测试中心,贵州省冶金科学研究室,Department of Inorganic Chemistry,Chaimers University of Techmology 贵州贵阳 550002,贵州贵阳 550002,贵州贵阳 550002,S41296 GOTEBORG,SWEDEN |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号:59761001) |
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摘 要: | 提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜,能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体,光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散,在Wagner理论基础上,用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。
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关 键 词: | Sol-gel Y2O3/SiO2 氧扩散系数 |
A STUDY ON OXYGEN DIFFUSION THROUGH COATING THIN FILM FORMED BY SOL-GEL PROCESS |
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Abstract: | |
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Keywords: | sol-gel Y_2O_3/SiO_2 diffusion coefficient |
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