|
|||||
|
|
| β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性 | |
| 引用本文： | 张俊刚,李斌,夏长泰,徐军,邓群,徐晓东,吴锋,徐悟生,史宏生,裴广庆,吴永庆.β-Ga2O3:Cr单晶体的浮区法生长及光学特性[J].中国科学(E辑),2007,37(3):370-374. |
| 作者姓名： | 张俊刚 李斌 夏长泰 徐军 邓群 徐晓东 吴锋 徐悟生 史宏生 裴广庆 吴永庆 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 中国科学院上海应用物理研究所,上海,201800 3. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 4. 通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203 |
| 基金项目： | 中国科学院"百人计划";国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用浮区法生长得到β-Ga2O3：Cr单晶体．在室温下测试了β-Ga2O3：Cr单晶体的吸收光谱和发射光谱．通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq和Racah系数，得到10Dq/B=23．14，表明Cr^3＋在β-Ga2O3晶体中处于较弱的晶体场β-Ga2O3：Cr单晶体经高温退火后Cr^3＋的发射明显加强，而绿光的发射减弱．采用420nm波长激发，在691nm可得到强而宽的特征发射，此发射对应于Cr^3＋的^4T2→^4A2跃迁． |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 Cr浮区法 调谐激光晶体 光谱 |
| 收稿时间： | 2005-06-09 |
| 修稿时间： | 2005-06-092006-08-23 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |