前途灿烂的VMOS功放电路

<正> 一、半导体器件的一颗新星 VMOS管是1976年才问世的一种新型半导体器件,它是在集中了电子管,双极型晶体管和单极型晶体管优点的基础上做成的,其优点主要表现在:输入阻抗高(约为10~8Ω以上),是电压控制器件,向信号源索取的功率甚微;开关速度快(开关时间为ns级):工作频率范围宽而高;反馈电容小;无热失控或二次击穿,具有负的电流温度系数;低的开启(或导通)电压;转移特性曲线的线线性好以及高的跨导等。因此,它是继双极型和单极型管之后,又一种具有开拓型的有源半导体器件,尤其是它的大电流和电流负温度系数,使它成为发展大功率器件的佼佼者。它的出现,引起了电子工业世界的极大兴趣,也被誉为是一种比较理想的有源器件。