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大功率IGBT直流特性和动态特性的PSPICE仿真
引用本文:康劲松,陶生桂,王新祺.大功率IGBT直流特性和动态特性的PSPICE仿真[J].同济大学学报(自然科学版),2002,30(6):710-714.
作者姓名:康劲松  陶生桂  王新祺
作者单位:同济大学沪西校区电气工程系,上海,200331
摘    要:应用等效模拟的方法建立了IGBT PSPICE仿真的直流模型和动态模型,对大功率IGBT的直流特性和动态特性进行了仿真分析,模型的仿真值与器件的实际值相比,所有特性均较吻合,表明仿真模型适用于大功率IGBT的特性分析。

关 键 词:绝缘栅双极型晶体管  特性  仿真  模型
文章编号:0253-374(2002)06-0710-05
修稿时间:2001年8月31日

PSPICE Simulation in DC and Dynamic Characteristics of High Power IGBT
KANG Jin-song,TAO Sheng-gui,WANG Xin-qi.PSPICE Simulation in DC and Dynamic Characteristics of High Power IGBT[J].Journal of Tongji University(Natural Science),2002,30(6):710-714.
Authors:KANG Jin-song  TAO Sheng-gui  WANG Xin-qi
Abstract:DC and dynamic models of high power IGBT for PSPICE are presented,DC characteristics and dynamic characteristics are simulated.Comparing simulated results with test results,all characteristics are identical.So the models can be used in the simulation of high power IGBT.
Keywords:insulated gate bipolar transistor  characteristics  simulation  modelHK
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