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新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路
引用本文:王源,贾嵩,张钢刚,陈中建,吉利久.新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路[J].北京大学学报(自然科学版),2007,43(3):400-404.
作者姓名:王源  贾嵩  张钢刚  陈中建  吉利久
作者单位:北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871
摘    要:提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路--栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构.相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应.0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为 12nA,抗ESD能力超过 8kV.

关 键 词:静电泄放  gcSCR-CDS  泄漏电流  闩锁效应
修稿时间:2006-04-202006-05-12

A Novel ESD Clamp Protection Circuit with Low Leakage Current and High Latch-up Immunity
WANG Yuan,JIA Song,ZHANG Ganggang,CHEN Zhongjian,JI Lijiu.A Novel ESD Clamp Protection Circuit with Low Leakage Current and High Latch-up Immunity[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2007,43(3):400-404.
Authors:WANG Yuan  JIA Song  ZHANG Ganggang  CHEN Zhongjian  JI Lijiu
Institution:Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871
Abstract:
Keywords:gcSCR-CDS
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