| 全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型 |
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| 引用本文： | 刘林林,李尊朝,尤一龙,徐进朋. 全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型[J]. 西安交通大学学报, 2011, 45(2): 73-77 |
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| 作者姓名： | 刘林林 李尊朝 尤一龙 徐进朋 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，陕西省科技计划资助项目，西安应用材料创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.
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| 关 键 词： | 围栅 表面势 阈值电压 短沟道效应 |
Two-Dimensional Analytic Model for Fully Depleted Surrounding Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor |
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| LIU Linlin,LI Zunchao,YOU Yilong,XU Jinpeng. Two-Dimensional Analytic Model for Fully Depleted Surrounding Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 2011, 45(2): 73-77 |
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| Authors: | LIU Linlin LI Zunchao YOU Yilong XU Jinpeng |
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| Affiliation: | (School of Electronics and Information Engineering,Xi′an Jiaotong University,Xi′an 710049,China) |
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| Abstract: | |
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