| LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计 |
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| 引用本文： | 揭荣金,马凤岚.LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计[J].江西科学,2007,25(6):769-771. |
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| 作者姓名： | 揭荣金 马凤岚 |
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| 作者单位： | 江西机电职业技术学院,江西,南昌,330013;江西机电职业技术学院,江西,南昌,330013 |
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| 摘 要： | LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计。实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性。
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| 关 键 词： | LDMOS 温度特性 功率放大器 偏置电路 |
| 文章编号： | 1001-3679（2007）06-0769-03 |
| 收稿时间： | 2007-05-31 |
| 修稿时间： | 2007-09-27 |
Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier |
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| JIE Rong-jin,MA Feng-lan.Design of Biasing Circuit Applicable for Minimizing Thermal Effect of LDMOS RF Power Amplifier[J].Jiangxi Science,2007,25(6):769-771. |
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| Authors: | JIE Rong-jin MA Feng-lan |
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| Abstract: | The thermal effect of LDMOS power amplifiers deprives its performances.On the basis of the self-heating effects model of LDMOS FET,analyze and simulate a design of biasing circuit minimizing thermal effect.Finally,the experiment results certify the validity of design. |
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| Keywords: | LDMOS Eperature characteristic Power amplifier Biasing circuit |
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